PD85006-E / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус POWERSO10RF , Тип транзистора RF Power LDMOS, N-channel , Рабочая частота (ном) 870 МГц, Выходная мощность (ном) 6 Вт, Коэффициент усиления (мин) 15 дБ, Напряжение питания (ном) 13.6 В, Эффективность (ном) 63 %, Тепловое сопротивление (кристалл-корпус) (макс) 2.6 °C/Вт
Характеристики
-
КорпусPOWERSO10RF
-
Тип транзистораRF Power LDMOS, N-channel
-
Рабочая частота (ном)870 МГц
-
Выходная мощность (ном)6 Вт
-
Коэффициент усиления (мин)15 дБ
-
Напряжение питания (ном)13.6 В
-
Эффективность (ном)63 %
-
Тепловое сопротивление (кристалл-корпус) (макс)2.6 °C/Вт