PD85035C / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип транзистора RF Power LDMOS, N-channel , Рабочая частота (ном) 870 МГц, Выходная мощность (ном) 35 Вт, Коэффициент усиления (мин) 14.5 дБ, Напряжение питания (ном) 13.6 В, Эффективность (ном) 77 %, Тепловое сопротивление (кристалл-корпус) (макс) 1.2 °C/Вт
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип транзистораRF Power LDMOS, N-channel
-
Рабочая частота (ном)870 МГц
-
Выходная мощность (ном)35 Вт
-
Коэффициент усиления (мин)14.5 дБ
-
Напряжение питания (ном)13.6 В
-
Эффективность (ном)77 %
-
Тепловое сопротивление (кристалл-корпус) (макс)1.2 °C/Вт