_500.jpeg "RF3L05250CB4")
RF3L05250CB4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Радиочастотный LDMOS транзистор для двухтактных схем; 2 N-канальных транзистора; 28/32 В; 250 Вт; до 1000 МГц. Предназначен для широкополосной связи и приложений ISM с частотами от ВЧ до 1 ГГц в классах AB, B или C для всех типичных форматов модуляции.
Характеристики:
- Тип транзистора: RF Power LDMOS N-канал;
- Частота: 650 МГц;
- Выходная импульсная мощность: 250 Вт;
- Коэффициент усиления: 18 дБ;
- Напряжение пробоя сток-исток: 90 В;
- Номинальное напряжение: 28 В;
- Корпус: LBB
Корпус POWERSO10RF
Характеристики
-
КорпусPOWERSO10RF