SCT10N120 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
SiC МОП-транзистор; 1200 В; 12 А; 52 мОм; в корпусе HiP-247-3
Характеристики:
- Полярность транзистора: N;
- Напряжение пробоя сток-исток: 1.2 кВ;
- Ток стока при 25 °С: 12 А;
- Пороговое напряжение затвор-исток: 1.8 В;
- Напряжение затвор-исток: 25 В;
- Заряд затвора: 22 нКл;
- Рассеиваемая мощность: 150 Вт;
- Время спада: 17 нс;
- Время нарастания: 12 нс;
- Типичное время задержки выключения: 14 нс;
- Типичное время задержки включения: 7 нс;
- Рабочая температура: -55...+200 °С;
- Корпус: HIP-247-3
Корпус TO247 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 1.2 кВ, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 12 А, Сопротивление открытого канала (мин) 690 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 20 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 20 В, Максимальное напряжение затвора 25 В, Заряд затвора 22 нКл, Рассеиваемая мощность 150 Вт, Ёмкость затвора 290 пФ, Особенности SiC
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток1.2 кВ
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса12 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)690 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min20 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max20 В
-
Максимальное напряжение затвора25 В
-
Заряд затвора22 нКл
-
Рассеиваемая мощность150 Вт
-
Ёмкость затвора290 пФ
-
ОсобенностиSiC