SD2918 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
RF транзистор - [M113]; Тип: MOSFET; Частота: 200 МГц; Мощность: 30 Вт; Усиление: 18 дБ; Ucc: 50 В; КПД: 55 %
Корпус M113 , Тип транзистора MOSFET , Рабочая частота (ном) 200 МГц, Выходная мощность (ном) 30 Вт, Коэффициент усиления (мин) 18 дБ, Напряжение питания (ном) 50 В, Эффективность (ном) 55 %, Тепловое сопротивление (кристалл-корпус) (макс) 1 °C/Вт, Рабочая температура 200 °C
Характеристики
-
КорпусM113
-
Тип транзистораMOSFET
-
Рабочая частота (ном)200 МГц
-
Выходная мощность (ном)30 Вт
-
Коэффициент усиления (мин)18 дБ
-
Напряжение питания (ном)50 В
-
Эффективность (ном)55 %
-
Тепловое сопротивление (кристалл-корпус) (макс)1 °C/Вт
-
Рабочая температура200 °C