Корпус —, Тип транзистора RF power N-channel MOSFET , Рабочая частота (ном) 250 МГц, Выходная мощность (ном) 300 Вт, Коэффициент усиления (мин) 16 дБ, Эффективность (ном) 60 %, Тепловое сопротивление (кристалл-корпус) (макс) 0.35 °C/Вт, Рабочая температура 200 °C
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.