SM15T68A / ST Microelectronics

Не поставляется

Добавить к сравнению

Защитный диод - [DO-214AB]; Pрасс: 1.25 кВт; Pрасс(пик): 1.5 кВт; Uраб: 58.1 В; Uогр(ном): 68 В; Uогр(диапазон): 64.6...71.4 В; Uимп(макс): 121 В

Корпус DO214AB , Максимальный импульсный ток 83 А, Рабочее напряжение 58.1 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 64.6 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 71.4 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB , Ток утечки при рабочем напряжении 0.2 мкА, Пиковая рассеиваемая мощность 1.5 кВт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 68 В, Паразитная емкость перехода 1 550 пФ, Максимальное импульсное напряжение 121 В, Рассеиваемая мощность 1.25 кВт

Предлагаем замену

1.5SMC68A (BOURNS) 15,55

Для 1.5SMC68AT3 ON Semiconductor фотографии временно нет

1.5SMC68AT3 (ONS) 31,10

1.5SMC68A-E3/57T (VISHAY) 20,31

1.5SMC68A (EIC) 51,50

Для 1.5SMC68A SUNCO фотографии временно нет

1.5SMC68A (SUNCO) 5,59

Описания и документация

s/sm15t_series.pdf

SM15T_Series.pdf

Характеристики

Корпус

DO214AB
Максимальный импульсный ток

83 А
Рабочее напряжение

58.1 В
Количество линий ограничения

1
Напряжение ограничения (диапазон), min

64.6 В
Напряжение ограничения (диапазон), max

71.4 В
Примечание

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
Ток утечки при рабочем напряжении

0.2 мкА
Пиковая рассеиваемая мощность

1.5 кВт
Тип супрессора по свойствам

однонаправленный
Напряжение ограничения (номинальное)

68 В
Паразитная емкость перехода

1 550 пФ
Максимальное импульсное напряжение

121 В
Рассеиваемая мощность

1.25 кВт