Характеристики

• Корпус
  —
• Пиковая рассеиваемая мощность
  400 Вт
• Напряжение ограничения (номинальное)
  12 В
• Паразитная емкость перехода
  775 пФ
• Максимальное импульсное напряжение
  21.7 В
• Рассеиваемая мощность
  5 Вт
• Рабочее напряжение
  10 В
• Количество линий ограничения
  1
• Напряжение ограничения (диапазон), min
  11.4 В
• Напряжение ограничения (диапазон), max
  12.6 В
• Примечание
  Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
• Ток утечки при рабочем напряжении
  5 мкА