SM6T200A / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
DIODE, TVS, 200V, 600W; Diode Type:TVS, Unidirectional; Voltage, Stand-off:171V; Voltage, Vbr:200V; Power, Peak Pulse:600W; Capacitance, Cd Typ @ Vr:350pF; Case Style:SMB; Pins, No. of:2; Case Style, Alternate:DO-214AA; Current, Peak Pulse:11.3A; Current, Reverse Leakage Max:1чA; Current, Test:1mA; Length / Height, External:8.2mm; Polarity, Uni / Bi Directional:Unidirectional; Power Rating:1500W; Power, Ptot:5W; Temperature, Full Power Rating:75°C; Termination Type:SMD; Voltage, Breakdown Max:210V; Voltage, Breakdown Min:190V; Voltage, Clamping 8/20чs Max:353V; Voltage, Clamping Max:353V
Корпус DO214AA , Пиковая рассеиваемая мощность 600 Вт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 200 В, Паразитная емкость перехода 350 пФ, Максимальное импульсное напряжение 353 В, Рассеиваемая мощность 515 Вт, Максимальный импульсный ток 11.3 А, Рабочее напряжение 171 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 190 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 210 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA , Ток утечки при рабочем напряжении 0.2 мкА
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусDO214AA
-
Пиковая рассеиваемая мощность600 Вт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный
-
Напряжение ограничения (номинальное)200 В
-
Паразитная емкость перехода350 пФ
-
Максимальное импульсное напряжение353 В
-
Рассеиваемая мощность515 Вт
-
Максимальный импульсный ток11.3 А
-
Рабочее напряжение171 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min190 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max210 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
-
Ток утечки при рабочем напряжении0.2 мкА