SM6T33A / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус DO214AA , Максимальное импульсное напряжение 59 В, Рассеиваемая мощность 5 Вт, Рабочее напряжение 28.2 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 31.4 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 34.7 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 28.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA , Ток утечки при рабочем напряжении 5 мкА, Пиковая рассеиваемая мощность 600 Вт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 33 В, Паразитная емкость перехода 1 000 пФ
Характеристики
-
КорпусDO214AA
-
Максимальное импульсное напряжение59 В
-
Рассеиваемая мощность5 Вт
-
Рабочее напряжение28.2 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min31.4 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max34.7 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 28.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
-
Ток утечки при рабочем напряжении5 мкА
-
Пиковая рассеиваемая мощность600 Вт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный
-
Напряжение ограничения (номинальное)33 В
-
Паразитная емкость перехода1 000 пФ