SM6T6V8A / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус DO214AA , Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 6.45 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 7.14 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA , Ток утечки при рабочем напряжении 1000 мкА, Пиковая рассеиваемая мощность 600 Вт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 6.8 В, Паразитная емкость перехода 4 000 пФ, Максимальное импульсное напряжение 13.4 В, Рассеиваемая мощность 5 Вт, Рабочее напряжение 5.8 В
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусDO214AA
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min6.45 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max7.14 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
-
Ток утечки при рабочем напряжении1000 мкА
-
Пиковая рассеиваемая мощность600 Вт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный
-
Напряжение ограничения (номинальное)6.8 В
-
Паразитная емкость перехода4 000 пФ
-
Максимальное импульсное напряжение13.4 В
-
Рассеиваемая мощность5 Вт
-
Рабочее напряжение5.8 В