SMAJ30A-TR / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус DO214AC , Паразитная емкость перехода 480 пФ, Максимальное импульсное напряжение 64.3 В, Рассеиваемая мощность 3.3 Вт, Рабочее напряжение 30 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 33.3 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 33.3 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC , Ток утечки при рабочем напряжении 1 мкА, Пиковая рассеиваемая мощность 400 Вт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 30 В
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусDO214AC
-
Паразитная емкость перехода480 пФ
-
Максимальное импульсное напряжение64.3 В
-
Рассеиваемая мощность3.3 Вт
-
Рабочее напряжение30 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min33.3 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max33.3 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 400W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
-
Ток утечки при рабочем напряжении1 мкА
-
Пиковая рассеиваемая мощность400 Вт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный
-
Напряжение ограничения (номинальное)30 В