STB140NF75T4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET 75V 0.008OHM
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7.5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 7.5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 7.5 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 218 нКл, Рассеиваемая мощность 310 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 , Ёмкость затвора 5 000 пФ
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток75 В
-
Ток стока номинальный при 25°C120 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)7.5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min7.5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max7.5 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора218 нКл
-
Рассеиваемая мощность310 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
-
Ёмкость затвора5 000 пФ