STB21NM60ND / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 17 А; Rси(вкл): 0.22 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 66 нКл
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 220 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 220 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 220 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 25 В, Заряд затвора 60 нКл, Рассеиваемая мощность 140 Вт, Примечание Fast diode , Ёмкость затвора 1 800 пФ
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C17 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)220 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min220 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max220 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора25 В
-
Заряд затвора60 нКл
-
Рассеиваемая мощность140 Вт
-
ПримечаниеFast diode
-
Ёмкость затвора1 800 пФ