STB42N65M5 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 33 А; Rси(вкл): 79 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 100 нКл
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C 33 А, Сопротивление открытого канала (мин) 79 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 79 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 79 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 25 В, Заряд затвора 100 нКл, Рассеиваемая мощность 190 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB , Ёмкость затвора 4 650 пФ
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток650 В
-
Ток стока номинальный при 25°C33 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)79 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min79 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max79 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора25 В
-
Заряд затвора100 нКл
-
Рассеиваемая мощность190 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
-
Ёмкость затвора4 650 пФ