STB55NF06T4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 50 А; Rси(вкл): 15 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 20 В
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 18 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 15 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 15 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 60 нКл, Рассеиваемая мощность 110 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB , Ёмкость затвора 1 300 пФ
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса50 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)18 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min15 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max15 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора60 нКл
-
Рассеиваемая мощность110 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
-
Ёмкость затвора1 300 пФ