STB6NK60ZT4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 6 А; Rси(вкл): 1 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.2 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 1 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 46 нКл, Рассеиваемая мощность 110 Вт, Примечание Стабилитрон в цепи базы. , Ёмкость затвора 905 пФ
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C6 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)1.2 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min1 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max1 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора46 нКл
-
Рассеиваемая мощность110 Вт
-
ПримечаниеСтабилитрон в цепи базы.
-
Ёмкость затвора905 пФ