STBR3012G2-TR / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус H2PAK2 , Схема включения диодов одиночный , Максимальное обратное напряжение диода 1.2 кВ, Прямой ток диода (средний) 30 А, Прямое падение напряжения 1.3 В, Обратный ток диода 2 мкА, Рабочая температура 175 °C
Характеристики
-
КорпусH2PAK2
-
Схема включения диодоводиночный
-
Максимальное обратное напряжение диода1.2 кВ
-
Прямой ток диода (средний)30 А
-
Прямое падение напряжения1.3 В
-
Обратный ток диода2 мкА
-
Рабочая температура175 °C