STBV32-AP / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 1.1 Вт, Напряжение КЭ максимальное 400 В, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 5 , Примечание Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность1.1 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное400 В
-
Ток коллектора1.5 А
-
Коэффициент усиления по току, min5
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin