STD12N65M2 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C 8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 500 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 25 В, Заряд затвора 16.5 нКл, Рассеиваемая мощность 85 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 535 пФ
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток650 В
-
Ток стока номинальный при 25°C8 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)500 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора25 В
-
Заряд затвора16.5 нКл
-
Рассеиваемая мощность85 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора535 пФ