STD15NF10T4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 23 А; Rси(вкл): 60 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 20 В
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 23 А, Сопротивление открытого канала (мин) 65 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 60 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 60 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 13 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 13 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 40 нКл, Рассеиваемая мощность 70 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 , Ёмкость затвора 870 пФ
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C23 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)65 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min60 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max60 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min13 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max13 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора40 нКл
-
Рассеиваемая мощность70 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
-
Ёмкость затвора870 пФ