STD17NF03LT4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 17 А; Rси(вкл): 50...60 мОм; @Uзатв(ном): 5...10 В; Uзатв(макс): 16 В
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 50 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 50 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 60 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 16 В, Заряд затвора 6.5 нКл, Рассеиваемая мощность 30 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA , Ёмкость затвора 320 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C17 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)50 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min50 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max60 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора16 В
-
Заряд затвора6.5 нКл
-
Рассеиваемая мощность30 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
-
Ёмкость затвора320 пФ