STD20NF20 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Iс(25°C): 18 А; Rси(вкл): 0.125 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 28 нКл; Pрасс: 90 Вт
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 125 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 125 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 125 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 39 нКл, Рассеиваемая мощность 110 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 940 пФ
Предлагаем замену
_500.jpeg)
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток200 В
-
Ток стока номинальный при 25°C18 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)125 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min125 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max125 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора39 нКл
-
Рассеиваемая мощность110 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора940 пФ