STD35NF06 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 35 А, Сопротивление открытого канала (мин) 24 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 24 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 24 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 44.5 нКл, Рассеиваемая мощность 55 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C35 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)24 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min24 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max24 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора44.5 нКл
-
Рассеиваемая мощность55 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA