STD4NK80ZT4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 3 А; Rси(вкл): 3...3.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 3 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 3.5 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 22.5 нКл, Рассеиваемая мощность 80 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA , Ёмкость затвора 575 пФ
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток800 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса3 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)3.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min3 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max3.5 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора22.5 нКл
-
Рассеиваемая мощность80 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
-
Ёмкость затвора575 пФ