STD5NK40Z-1 / ST Microelectronics

Не поставляется

Добавить к сравнению

MOSFET силовой транзистор - [IPAK]; Тип: N; Uси: 400 В; Iс(25°C): 3 А; Rси(вкл): 1.47...1.8 Ом; @Uзатв(ном): 6...8 В; Uзатв(макс): 30 В

Корпус TO251 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 400 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.8 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), min 1.47 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), max 1.8 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 17 нКл, Рассеиваемая мощность 45 Вт, Примечание MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):1.47ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Operating Temperature ;RoHS Compliant: Yes , Ёмкость затвора 305 пФ

Описания и документация

s/std5nk40z-1.pdf

STD5NK40Z-1.pdf

Характеристики

Корпус

TO251
Конфигурация и полярность

N
Максимальное напряжение сток-исток

400 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса

3 А
Сопротивление открытого канала (мин)

1.8 Ом
Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), min

1.47 Ом
Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), max

1.8 Ом
Диапазон номинальных напряжений затвора, min

10 В
Диапазон номинальных напряжений затвора, max

10 В
Максимальное напряжение затвора

30 В
Заряд затвора

17 нКл
Рассеиваемая мощность

45 Вт
Примечание

MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):1.47ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Operating Temperature ;RoHS Compliant: Yes
Ёмкость затвора

305 пФ