STD5NM50T4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 7.5 А; Rси(вкл): 0.8 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 13 нКл
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C 7.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 800 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 800 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 800 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 13 нКл, Рассеиваемая мощность 100 Вт, Ёмкость затвора 415 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток500 В
-
Ток стока номинальный при 25°C7.5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)800 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min800 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max800 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора13 нКл
-
Рассеиваемая мощность100 Вт
-
Ёмкость затвора415 пФ