STF15N80K5 / ST Microelectronics
Не поставляется
MOSFET силовой транзистор - [TO-220FP]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 14 А; Rси(вкл): 0.375 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 32 нКл
Корпус TO220FP , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C 14 А, Сопротивление открытого канала (мин) 375 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 375 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 375 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 32 нКл, Рассеиваемая мощность 35 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 800V, 0.375ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 1 100 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220FP
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток800 В
-
Ток стока номинальный при 25°C14 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)375 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min375 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max375 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора32 нКл
-
Рассеиваемая мощность35 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 14A I(D), 800V, 0.375ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора1 100 пФ