_500.jpeg "STGAP2SICSNTR")
STGAP2SICSNTR / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
STGAP2SICSNTR – это одноканальный изолированный драйвер затвора предназначенный для работы с SiC MOSFETs и IGBTs поддерживающими рабочее напряжение (GND to GNDISO) до 1700 В пик.
Особенности:
- Высоковольтная шина до 1700 В;
- Выходной ток: 4 А;
- Устойчивость к синфазным переходным процессам (CMTI): ±100 В/нс во всём температурном диапазоне;
- Время задержки распространения сигнала вход-выход: 75 нс;
- Раздельные выходы вытекающего/втекающего тока (STGAP2SICSNTR);
- Переход в безопасный режим при снижении напряжения управления ниже VHoff: 14.8 В;
- Напряжение управления затвором: 17…26 В;
- Логические входы управления с гистерезисом: 3.3, 5 В, TTL/CMOS;
- Отключение при перегреве;
- Функция ожидания;
- Напряжение изоляции: 4.8 кВ, пик.;
- Рабочая температура TJ: -40…125 °С;
- Корпус: SO8
Корпус SO8 , Кол-во верхних каналов 1 , Максимальное напряжение смещения 1.7 кВ, Максимальный выходной ток нарастания 4 А
Характеристики
-
КорпусSO8
-
Кол-во верхних каналов1
-
Максимальное напряжение смещения1.7 кВ
-
Максимальный выходной ток нарастания4 А