STGB10NB37LZT4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT транзистор - [TO-263-2]; Uкэ.макс: 410 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.2 В; tнар: 1.3 мкс; tспада: 3.6 мкс
Корпус TO263 , Напряжение К-Э максимальное 440 , Ток коллектора максимальный при 25°C 20 А, Напряжение насыщения К-Э 1.8 В, Время включения 1.3 мкс, Время выключения 8 мкс, Максимальная мощность 125 Вт, Заряд затвора 28 нКл, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 375V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Напряжение К-Э максимальное440
-
Ток коллектора максимальный при 25°C20 А
-
Напряжение насыщения К-Э1.8 В
-
Время включения1.3 мкс
-
Время выключения8 мкс
-
Максимальная мощность125 Вт
-
Заряд затвора28 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 375V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB