STGB35N35LZT4 / ST Microelectronics
Добавить к сравнению
Напряжение К-Э максимальное 345 , Ток коллектора максимальный при 25°C 40 А, Напряжение насыщения К-Э 1.7 В, Время включения 1.1 мкс, Время выключения 26.5 мкс, Максимальная мощность 176 Вт, Заряд затвора 49 нКл, Тип входа логический , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 380V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 589 шт | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Напряжение К-Э максимальное345
-
Ток коллектора максимальный при 25°C40 А
-
Напряжение насыщения К-Э1.7 В
-
Время включения1.1 мкс
-
Время выключения26.5 мкс
-
Максимальная мощность176 Вт
-
Заряд затвора49 нКл
-
Тип входалогический
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 380V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA