STGB7NC60HDT4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT транзистор - [TO-263-2]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 25 А; Uкэ.нас: 1.85 В; tнар: 18.5 нс; tспада: 27 нс
Корпус TO263 , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 25 А, Напряжение насыщения К-Э 2.5 В, Время включения 18.5 нс, Время выключения 72 нс, Время восстановления диода 37 нс, Максимальная мощность 80 Вт, Заряд затвора 35 нКл, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C25 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.5 В
-
Время включения18.5 нс
-
Время выключения72 нс
-
Время восстановления диода37 нс
-
Максимальная мощность80 Вт
-
Заряд затвора35 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB