STGB8NC60KDT4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT транзистор - [TO-263-2]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 8 А; Uкэ.нас: 2.2 В; tнар: 17 нс; tспада: 33 нс; Диод tвосст: 23.5 нс
Корпус TO263 , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 15 А, Напряжение насыщения К-Э 2.75 В, Время включения 17 нс, Время выключения 72 нс, Время восстановления диода 23.5 нс, Максимальная мощность 65 Вт, Заряд затвора 19 нКл, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C15 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.75 В
-
Время включения17 нс
-
Время выключения72 нс
-
Время восстановления диода23.5 нс
-
Максимальная мощность65 Вт
-
Заряд затвора19 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel