STGD3NB60SDT4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT транзистор - [TO-252-3]
Корпус TO252 , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 6 А, Напряжение насыщения К-Э 1.5 В, Время включения 125 мкс, Время выключения 4.8 мкс, Время восстановления диода 1.7 мкс, Максимальная мощность 48 Вт, Заряд затвора 18 нКл, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C6 А
-
Напряжение насыщения К-Э1.5 В
-
Время включения125 мкс
-
Время выключения4.8 мкс
-
Время восстановления диода1.7 мкс
-
Максимальная мощность48 Вт
-
Заряд затвора18 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252