Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

Фотография STGD6M65DF2 ST Microelectronics временно отсутствует

STGD6M65DF2 / ST Microelectronics

Не поставляется

Добавить к сравнению

Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Корпус TO252 , Напряжение К-Э максимальное 650 , Ток коллектора максимальный при 25°C 12 А, Напряжение насыщения К-Э 2 В, Время включения 15 нс, Время выключения 90 нс, Время восстановления диода 140 нс, Максимальная мощность 88 Вт, Заряд затвора 21.2 нКл, Тип входа стандартный , Тип Trench Field Stop

Характеристики

Корпус

TO252
Напряжение К-Э максимальное

650
Ток коллектора максимальный при 25°C

12 А
Напряжение насыщения К-Э

2 В
Время включения

15 нс
Время выключения

90 нс
Время восстановления диода

140 нс
Максимальная мощность

88 Вт
Заряд затвора

21.2 нКл
Тип входа

стандартный
Тип

Trench Field Stop

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 23.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 23.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰