STGD7NB60ST4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO252 , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 15 А, Напряжение насыщения К-Э 1.6 В, Время включения 700 нс, Максимальная мощность 55 Вт, Заряд затвора 33 нКл, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C15 А
-
Напряжение насыщения К-Э1.6 В
-
Время включения700 нс
-
Максимальная мощность55 Вт
-
Заряд затвора33 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA