STGD7NC60HT4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT транзистор -
Корпус TO252 , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 25 А, Напряжение насыщения К-Э 2.5 В, Время включения 18.5 нс, Время выключения 72 нс, Максимальная мощность 70 Вт, Заряд затвора 35 нКл, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C25 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.5 В
-
Время включения18.5 нс
-
Время выключения72 нс
-
Максимальная мощность70 Вт
-
Заряд затвора35 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA