STGF10NB60SD
ST Microelectronics
добавить к сравнению
IGBT транзистор - Примечание: IGBT, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Power Dissipation Pd:25W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes
| Наличие | Срок | Цена | Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 56200 шт | — |
96,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
| Внимание! 'Срок' не учитывает дни доставки, которые зависят от выбранного способа получения и адреса доставки. | |||||
|
Показать еще предложения
|
|||||
Характеристики
-
Корпус—
-
Напряжение К-Э максимальное
-
Ток коллектора максимальный при 25°C
-
Напряжение насыщения К-Э
Ваш запрос на добавление технической информации по позиции STGF10NB60SD поставлен в очередь на обработку. Как только запрос будет отработан, на вашу электронную почту придет оповещение.