STGF10NB60SD / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT транзистор - Примечание: IGBT, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Power Dissipation Pd:25W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes
Корпус TO220FP , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 23 А, Напряжение насыщения К-Э 1.75 В, Время включения 700 нс, Время выключения 1.2 мкс, Время восстановления диода 37 нс, Максимальная мощность 25 Вт, Заряд затвора 33 нКл, Тип входа стандартный , Примечание IGBT, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Power Dissipation Pd:25W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes
Характеристики
-
КорпусTO220FP
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C23 А
-
Напряжение насыщения К-Э1.75 В
-
Время включения700 нс
-
Время выключения1.2 мкс
-
Время восстановления диода37 нс
-
Максимальная мощность25 Вт
-
Заряд затвора33 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеIGBT, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Power Dissipation Pd:25W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes