STGF35HF60W / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT транзистор -
Корпус TO220FULLPAK3 , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 19 А, Напряжение насыщения К-Э 2.5 В, Время включения 30 нс, Время выключения 175 нс, Максимальная мощность 40 Вт, Заряд затвора 140 нКл, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 19A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Характеристики
-
КорпусTO220FULLPAK3
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C19 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.5 В
-
Время включения30 нс
-
Время выключения175 нс
-
Максимальная мощность40 Вт
-
Заряд затвора140 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 19A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel