STGF3NC120HD / ST Microelectronics

Не поставляется

Добавить к сравнению

IGBT транзистор - Примечание: IGBT, N 1200V 3A TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:6A; Collector Emitter Voltage Vces:2.8V; Power Dissipation Pd:25W; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Ic Continuous;RoHS Compliant: Yes

Корпус TO220FP , Напряжение К-Э максимальное 1200 , Ток коллектора максимальный при 25°C 6 А, Напряжение насыщения К-Э 2.8 В, Время включения 15 нс, Время выключения 118 нс, Время восстановления диода 51 нс, Максимальная мощность 25 Вт, Заряд затвора 24 нКл, Тип входа стандартный , Примечание IGBT, N 1200V 3A TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:6A; Collector Emitter Voltage Vces:2.8V; Power Dissipation Pd:25W; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Ic Continuous;RoHS Compliant: Yes

Описания и документация

s/stgf3nc120hd.pdf

STGF3NC120HD.pdf

Характеристики

Корпус

TO220FP
Напряжение К-Э максимальное

1200
Ток коллектора максимальный при 25°C

6 А
Напряжение насыщения К-Э

2.8 В
Время включения

15 нс
Время выключения

118 нс
Время восстановления диода

51 нс
Максимальная мощность

25 Вт
Заряд затвора

24 нКл
Тип входа

стандартный
Примечание

IGBT, N 1200V 3A TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:6A; Collector Emitter Voltage Vces:2.8V; Power Dissipation Pd:25W; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Ic Continuous;RoHS Compliant: Yes