STGP10NB60S / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT транзистор -
Корпус TO220AB , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 29 А, Напряжение насыщения К-Э 1.75 В, Время включения 700 нс, Время выключения 1.2 мкс, Максимальная мощность 80 Вт, Заряд затвора 33 нКл, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 29A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C29 А
-
Напряжение насыщения К-Э1.75 В
-
Время включения700 нс
-
Время выключения1.2 мкс
-
Максимальная мощность80 Вт
-
Заряд затвора33 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 29A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB