STGP20H60DF / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO220AB , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 40 А, Напряжение насыщения К-Э 2 В, Время включения 42.5 нс, Время выключения 177 нс, Время восстановления диода 90 нс, Максимальная мощность 167 Вт, Заряд затвора 115 нКл, Тип входа стандартный , Тип Trench Field Stop , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C40 А
-
Напряжение насыщения К-Э2 В
-
Время включения42.5 нс
-
Время выключения177 нс
-
Время восстановления диода90 нс
-
Максимальная мощность167 Вт
-
Заряд затвора115 нКл
-
Тип входастандартный
-
ТипTrench Field Stop
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB