STGP30NC60S / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 30 А; Uкэ.нас: 1.4 В
Корпус TO220 , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 55 А, Напряжение насыщения К-Э 1.9 В, Время включения 21.5 нс, Время выключения 180 нс, Максимальная мощность 175 Вт, Заряд затвора 96 нКл, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C55 А
-
Напряжение насыщения К-Э1.9 В
-
Время включения21.5 нс
-
Время выключения180 нс
-
Максимальная мощность175 Вт
-
Заряд затвора96 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB