STGP3NC120HD / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT транзистор - [TO-220-3]
Корпус TO220AB , Напряжение К-Э максимальное 1200 , Ток коллектора максимальный при 25°C 14 А, Напряжение насыщения К-Э 2.8 В, Время включения 15 нс, Время выключения 118 нс, Время восстановления диода 51 нс, Максимальная мощность 75 Вт, Заряд затвора 24 нКл, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Напряжение К-Э максимальное1200
-
Ток коллектора максимальный при 25°C14 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.8 В
-
Время включения15 нс
-
Время выключения118 нс
-
Время восстановления диода51 нс
-
Максимальная мощность75 Вт
-
Заряд затвора24 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB