STGW20NC60VD / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 30 А; Uкэ.нас: 1.7 В; Диод tвосст: 88 нс; Диод Uпад: 1.6 В
Корпус TO247 , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 60 А, Напряжение насыщения К-Э 2.5 В, Время включения 31 нс, Время выключения 100 нс, Время восстановления диода 44 нс, Максимальная мощность 200 Вт, Заряд затвора 100 нКл, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C60 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.5 В
-
Время включения31 нс
-
Время выключения100 нс
-
Время восстановления диода44 нс
-
Максимальная мощность200 Вт
-
Заряд затвора100 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247