STGW25H120F2 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO247 , Напряжение К-Э максимальное 1200 , Ток коллектора максимальный при 25°C 50 А, Напряжение насыщения К-Э 2.6 В, Время включения 29 нс, Время выключения 130 нс, Максимальная мощность 375 Вт, Заряд затвора 100 нКл, Тип входа стандартный , Тип Trench Field Stop , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Напряжение К-Э максимальное1200
-
Ток коллектора максимальный при 25°C50 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.6 В
-
Время включения29 нс
-
Время выключения130 нс
-
Максимальная мощность375 Вт
-
Заряд затвора100 нКл
-
Тип входастандартный
-
ТипTrench Field Stop
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247