STGW30H60DLFB / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Корпус TO247 , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 60 А, Напряжение насыщения К-Э 2 В, Время выключения 146 нс, Максимальная мощность 260 Вт, Заряд затвора 149 нКл, Тип входа стандартный , Тип Trench Field Stop , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C60 А
-
Напряжение насыщения К-Э2 В
-
Время выключения146 нс
-
Максимальная мощность260 Вт
-
Заряд затвора149 нКл
-
Тип входастандартный
-
ТипTrench Field Stop
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel