STGW40H65DFB / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(
Корпус TO247 , Напряжение К-Э максимальное 650 , Ток коллектора максимальный при 25°C 80 А, Напряжение насыщения К-Э 2 В, Время включения 40 нс, Время выключения 142 нс, Время восстановления диода 62 нс, Максимальная мощность 283 Вт, Заряд затвора 210 нКл, Тип входа стандартный , Тип Trench Field Stop , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Напряжение К-Э максимальное650
-
Ток коллектора максимальный при 25°C80 А
-
Напряжение насыщения К-Э2 В
-
Время включения40 нс
-
Время выключения142 нс
-
Время восстановления диода62 нс
-
Максимальная мощность283 Вт
-
Заряд затвора210 нКл
-
Тип входастандартный
-
ТипTrench Field Stop
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel