STGW40NC60KD / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT транзистор - [TO-247-3]
Корпус TO247 , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 70 А, Напряжение насыщения К-Э 2.7 В, Время включения 46 нс, Время выключения 164 нс, Время восстановления диода 45 нс, Максимальная мощность 250 Вт, Заряд затвора 135 нКл, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C70 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.7 В
-
Время включения46 нс
-
Время выключения164 нс
-
Время восстановления диода45 нс
-
Максимальная мощность250 Вт
-
Заряд затвора135 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247