STGW50H60DF / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO247 , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 100 А, Напряжение насыщения К-Э 1.8 В, Время включения 62 нс, Время выключения 178 нс, Время восстановления диода 55 нс, Максимальная мощность 360 Вт, Заряд затвора 217 нКл, Тип входа стандартный , Тип Trench Field Stop , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C100 А
-
Напряжение насыщения К-Э1.8 В
-
Время включения62 нс
-
Время выключения178 нс
-
Время восстановления диода55 нс
-
Максимальная мощность360 Вт
-
Заряд затвора217 нКл
-
Тип входастандартный
-
ТипTrench Field Stop
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247